Samsung – Módulo de memoria DDR2-800 (PC2-6400, 128Mx8x16, 2 GB, 200 pines, doble canal)

Samsung – Módulo de memoria DDR2-800 (PC2-6400, 128Mx8x16, 2 GB, 200 pines, doble canal)

  • 2 GB SODIMM DDR2 (PC2 – 6400, 800 MHz, CL6)
  • Para todos netbooks DDR2 +, Note Books
  • Mejor calidad mediante Samsung de memoria original
  • Doble canal disponible en 2 x 2 GB.

beschreibungsamsung DDR2 – 2 GB – SO DIMM de 200 pines 800 MHz/PC2 – 6400 – CL6 – 1.8 V – sin búfer – fabricantes de piedras de construcción de memoria no ECC Grupo Samsung Fabricante Número De Referencia m470t5663qz3 CF7 EAN/UPC de marketing Samsung – DDR2 – 2 GB – SO DIMM de 200 pines – 800 MHz/PC2 – 6400 – CL6 (m470t5663qz3 CF7) Características principales del producto beschreibungsamsung – DDR2 – 2 GB Memoria – so DIMM de 200 pines produkttypram kapazität2 GB Tipo de memoria DDR2 SDRAM – SO DIMM de 200 pines Tipo de ampliación genérico dateninte Grit ätspr üfungnicht de ECC geschwindigkeit800 MHz (PC2 – 6400) tiempo de latencia encl6 (6 – 6 de 6) Potencia merkmale8 K de Refresh, Dual Rank, sin búfer spannung1.8 V detallada detalles general kapazität2 GB Tipo de ampliación genérico Tipo de memoria DRAM tecnología DDR2 SDRAM forma FAK torso DIMM 200Pines módulo Altura (pulgadas) 1.18 geschwindigkeit800 MHz (PC2 – 6400) tiempo de latencia encl6 (6 – 6 de 6) acceso zeit2.5 NS dateninte Grit ätspr üfungnicht módulo de Refresh, Dual Rank besonderheiten8 K ECC, sin búfer konfiguration256 organisation128 de chip x 64 x 8 spannung1.8 V Ampliación/Conectividad COMPATIBLES steckplätze1 x memoria – SO DIMM de 200 pines varios kennzeichnungrohs Artículo nummer12355 – 1 cuadro de euros

Precio: EUR 15,90

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